27/01 | . | содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке [3] |
27/02 | . | содержащие полупроводниковые компоненты, предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления, переключения, или содержащие элементы на пассивных интегральных схемах, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер [2] |
27/04 | . | . | с подложкой из полупроводника [2] |
27/06 | . | . | . | содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется [2] |
27/07 | . | . | . | . | несколько компонентов с общей активной зоной [5] |
27/08 | . | . | . | содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида [2] |
27/082 | . | . | . | . | только биполярные компоненты [5] |
27/085 | . | . | . | . | только компоненты с полевым эффектом [5] |
27/088 | . | . | . | . | . | полевые транзисторы с изолированным затвором [5] |
27/092 | . | . | . | . | . | . | комплементарные полевые МДП-транзисторы [5] |
27/095 | . | . | . | . | . | полевые транзисторы с затвором Шотки [5] |
27/098 | . | . | . | . | . | полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [5] |
27/10 | . | . | . | содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией [2] |
27/102 | . | . | . | . | биполярные компоненты [5] |
27/105 | . | . | . | . | компоненты с полевым эффектом [5] |
27/108 | . | . | . | . | . | структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5] |
27/11 | . | . | . | . | . | структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5] |
27/112 | . | . | . | . | . | структуры постоянных запоминающих устройств [5] |
27/115 | . | . | . | . | . | . | электрически программируемые постоянные запоминающие устройства [5] |
27/118 | . | . | . | . | интегральные схемы на основе базового кристалла [5] |
27/12 | . | . | с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика [2] |
27/13 | . | . | . | комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами [3] |
27/14 | . | содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42) [2] |
27/142 | . | . | устройства преобразования энергии [5] |
27/144 | . | . | устройства, управляемые при помощи излучения [5] |
27/146 | . | . | . | структуры формирователей сигналов изображения [5] |
27/148 | . | . | . | . | формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью [5] |
27/15 | . | с полупроводниковыми компонентами, предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер [2] |
27/16 | . | содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38) [2] |
27/18 | . | содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью [2] |
27/20 | . | содержащие пьезоэлектрические компоненты; содержащие электрострикционные компоненты; содержащие магнитострикционные компоненты [2,7] |
27/22 | . | содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля [2] |
27/24 | . | содержащие предназначенные для выпрямления, усиления или переключения компоненты на твердом теле без потенциального барьера, на котором имеется скачкообразное изменение потенциала, или без поверхностного барьера [2] |
27/26 | . | содержащие компоненты с объемным отрицательным сопротивлением [2] |